Sic MOS

GaN FET パワーアンプ3(5)

まだまだSiC MOSで検討を続ける。今度はパスコンにuΣ0.68μを投入した基板を追加で作った。 回路としては2003年頃の金田式パワーアンプに近い。現在メインシステムでエージングを進めている。透明な音になってきているがSITアンプがナチュラルな音とするとこ…

GaN FET パワーアンプ3(4)

オフセットを確認して朝から鳴らして見た。小音量ではボケボケのイマイチな音なので電源電圧のせいと思っていたら夕方から雲が晴れたようにクリアーになった。熱暴走の気配は全くない。Sic MOSもなかなかいける。

6C33CーB アンプ計画 (35)

Sic MOS版が完成した。安全に精密に調整できる。 音もほぼ申し分ない。真空管版もこの方式に決まりだ。

6C33CーB アンプ計画 (34)

オープンゲインが少ないので試しに一段追加した。 位相補正はこの方式が良さそうである。 470Pまで増やすとピークは解消するが実機ではアイドリングを増すと発振する。1000Pまで増やしたが結果は同じだった。

6C33CーB アンプ計画 (33)

Sic MOSのアンプが片ch組み上がった。調整は非常に容易である。 歪みは多い。これはオープンゲインが小さく無帰還に近いからかもしれない。アイドリングを増やしてもそれ程改善しない。

6C33CーB アンプ計画 (31)

Sic MOSを使った半導体機を作る。 パワーアンプなのでVHコネクターを採用する。4mmピッチなので金田式の基板が適合する。 エッシャーのだまし絵のような回路になっている。