Sic MOS

6C33CーB アンプ計画 (35)

Sic MOS版が完成した。安全に精密に調整できる。 音もほぼ申し分ない。真空管版もこの方式に決まりだ。

6C33CーB アンプ計画 (34)

オープンゲインが少ないので試しに一段追加した。 位相補正はこの方式が良さそうである。 470Pまで増やすとピークは解消するが実機ではアイドリングを増すと発振する。1000Pまで増やしたが結果は同じだった。

6C33CーB アンプ計画 (33)

Sic MOSのアンプが片ch組み上がった。調整は非常に容易である。 歪みは多い。これはオープンゲインが小さく無帰還に近いからかもしれない。アイドリングを増やしてもそれ程改善しない。

6C33CーB アンプ計画 (31)

Sic MOSを使った半導体機を作る。 パワーアンプなのでVHコネクターを採用する。4mmピッチなので金田式の基板が適合する。 エッシャーのだまし絵のような回路になっている。