GaN FETのトランスコンダクタンスの立ち上がりがいいという言及があるがそれを裏付けるのがこれである。 出力を上げていくと3次歪みが激減する。アイドリングが激増してトランスコンダクタンスが大きい領域に入ってきた事を表している。最初からアイドリング…