Sic MOS
音を確認してみるととても良いものだった。しかし二段目バイポーラのせいでアイドリングが増加してゆく事が確認された。制御ループの外にあるので致し方ない。 C2240からJ103BLに戻しバイアス関係も修正した。アイドリングは実に安定している。 完成写真 特性…
このような回路図になった。これを±15Vで運用する。 パターンを変えずに済むようTRの足の順番を変えた。 両チャンネル調整し終わったところ。これで音が聴ける。
回路図と基板図を示す。これまでの知見を元に±15Vでどれくらい出るかが知りたい。 2段目の動作の確認。LEDが点灯している。 ドライバー段を入れてエミッタ電位をみる。よく合っている。 この回路で出力を見ると1W以下になった。色々試したいので±40Vでも動作…
A5とA6はIGBT、SiC MOS FET、GaN MOS FETに特化したアンプシリーズで、両者は基板に互換性がない。 今回はこのような基板を再生して超広帯域電圧増幅段SiC MOS-FETアンプの2台目を作る。 初日はここまで作業した。新調するのと手間のかかり具合は同じかもし…
完成写真 試聴しながらアイドリングの安定度を見ている。 特に問題ないようだ。放熱器が小さいのでファンで温度を下げている。 やはりあらゆる点で最高点を叩き出すような鳴り方である。ダイナミックで透明、それでいてサラサラと流れるように鳴る。ワイドレ…
ドライバー段のC2240をC4073に変更した。40Wあたりでクリップするのがわかっているので低出力域で 測定した。 サーミスタの影響を受けないようにすれば歪みは直線的に下がってゆくのがわかる。 回路図と基板図 測定用の音声ファイルを編集して逆にしたものを…
ファンで冷却しながら150mA流してみた。 C2240ドライバー 50Wでもハードクリップしていない。小出力時に歪みが増加するのはアイドリング激増時にサーミスタが暖められて、 アイドリングが減少してしまうからだ。サイン波信号は大きい順に5秒づつ再生される…
ほぼ金田式をコピーした回路。二段目がソース接地になっている。差動よりもダイナミックレンジが大きく取れる。少なくとも二段目でのクリップは避けられる。 測定結果 まだクリップしているようだ。初段をK117GRからBL(IDSS=8.2mA)に変更する。 随分なだ…
C2240をドライバーにしたアンプ 測定結果 出力は取れているようだが歪みが多い。金田式ではアイドリングに少なくとも150mAは流しているのでやってみる。 上手くいったようだが、早めにクリップするのが問題である。二段目の差動アンプがあやしいので対策を考…
サーミスタの補修に取り掛かる。 瞬間接着剤とはいえ一晩寝かせてから半田付けした。 電圧増幅段のテスト ドライバー段はC2240に変更している。三歩進んで二歩下がるである。最初から一歩進めば?と思うかもしれないが、こちらの方が研究手法としてはいいの…
片chを組み終わって調整可能なところまで来た。 出力も充分取れているようだが測定してみると高調波歪みが多すぎることがわかった。大抵は出力の低いところでは0.1%まで下がるのだが全然下がらない。負荷を5kΩにすると歪みは消滅するという現象がある。 位相…
ドライバー段にft 6GHzの2SC4703を用いる。Dualgate MOSよりもさらに広帯域となる。±40の電源に対応する。 去年作ったA6のアンプ基板をリユースするので経済的である。 改造前の基板 今回作ろうとしている回路
完成写真 試聴 ドライバー段付きでしかもダイナミックレンジが広く混変調歪みの少ないDualgate MOSである。高域もいいが低域がしっかりしている。かなりのものである。
二段目の電流が要調整だったが上手くいったので試聴する。 気になっていたハイ落ちは解消し、全般的に聴きやすい音である。バランスがいい。低域の力感もあるし高域のキラキラ感も少し残っている。バイポーラを入れることで音づくりができるようだ。
再びドライバー段の電圧制限(6.1V)を行うと前と同じように出力の低下が見られた。この問題の解決法は電源電圧を高くするしかないような気がする。その実験はまた後で行うことにして、ドライバー段付きSiC MOS アンプの完成を急ぐことにする。 決定した回路…
8Ω負荷出力が1Wも出ていないので改良を試みた。まずC1775AEを肩特性が良いC2240に替えてみた。大して変わらなかった。次にJ103をIDSS=8mAのものに替える。すると調整不能の症状が出た。これはIDSS=3.4mAのものに戻した。 やはりツェナーでドライバー段の電…
万事窮すだったが330pの位相補正を入れてみたら3.5Vのバイアス電圧が復活した。今は2.7Vになっている。 DCメカの状態で終段を入れたところ。8mA流れている。 NFBをかけてDCアンプにしたところ。アイドリング39mA、オフセット7.8mVになっている。 測定した。 …
SiC MOS のアンプは音がクッキリハッキリ出る割にはシンバルなどがハイ落ちに聴こえる。原因はドライバー段にあるような気がしているのである。 Sic MOSはロームのものでも外国のものでもほとんど同じである。温度係数が正なので10kΩのサーミスタが貼り付け…
このアンプはアイドリング自動調整機能があるのでSiC MOSなども温度補償無しで使えると思う。 このようなのを作って挿すだけである。CREEのCMF10120Dを使用した。 アイドリングは無調整で安定している。 特性はこのようになった。 前回のSITシングル どちら…
案ずるより産むが易しと両chGaN FETにして音を聴いてみた。流石にクラシック〜クラリネット協奏曲だったかな〜は聴いたことのないほどのいい音がした。石も次に備えて準備しておいた。 ところが、その日のうちに二つの石を失ってしまう。特性は最初に取って…
このアンプはSic MOSでも柔らかく深みのある音が出ているのでロームの石でもそうなるのか確かめてみた。CREE CMF10120D → ローム STC2450KEに変更。 結果は同じ音と確認できた。CMF10120Dは製造中止品なので有難い。 次に片chだけGaN FETに変えてみる。 アイ…
GaN FET パワーアンプ の7と9がSic MOSを載せて音楽が聴ける処まで辿り着いた。7は明るく透明なクリスタルの様な音、9は柔らかく深みがある音になっている。特に9はこのままでもいいんじゃないかという気がしている。試しに7にGaN FET を載せてみると音楽信…
GaN FET パワーアンプ 9 が姿を現した。Sic MOSで両ch稼働中の処まで来た。これも一種のHCAで終段以外に非直線部分の無いアンプである。 測定時に保護回路が作動し易いので最大出力は見ないことにした。この後の工程としてはGaNに載せ変えて挙動を見ることに…
GaN FETのトランスコンダクタンスの立ち上がりがいいという言及があるがそれを裏付けるのがこれである。 出力を上げていくと3次歪みが激減する。アイドリングが激増してトランスコンダクタンスが大きい領域に入ってきた事を表している。最初からアイドリング…
Sic MOS版が完成した。安全に精密に調整できる。 音もほぼ申し分ない。真空管版もこの方式に決まりだ。
オープンゲインが少ないので試しに一段追加した。 位相補正はこの方式が良さそうである。 470Pまで増やすとピークは解消するが実機ではアイドリングを増すと発振する。1000Pまで増やしたが結果は同じだった。
Sic MOSのアンプが片ch組み上がった。調整は非常に容易である。 歪みは多い。これはオープンゲインが小さく無帰還に近いからかもしれない。アイドリングを増やしてもそれ程改善しない。
Sic MOSを使った半導体機を作る。 パワーアンプなのでVHコネクターを採用する。4mmピッチなので金田式の基板が適合する。 エッシャーのだまし絵のような回路になっている。