LoーD式ノンスイッチングアンプの製作（5）

ノンスイッチング MOS FET パワー・アンプ

小さい方の基板をパワーアンプ III に組み込んでMOS FET アンプを完成させた。

アイドリング130mA、DCオフセット10.8mVである。

アイドリング86mA、DCオフセット13.8mVである。

終段のゲートの入力抵抗を220Ωに変更して高域を改善している。

音質を比べると石のせいか上條式よりナチュラルであると言える。