超広帯域電圧増幅段SiC MOS-FETアンプ (2)

片chを組み終わって調整可能なところまで来た。

出力も充分取れているようだが測定してみると高調波歪みが多すぎることがわかった。大抵は出力の低いところでは0.1%まで下がるのだが全然下がらない。負荷を5kΩにすると歪みは消滅するという現象がある。

位相補正を増やして(寄生発振は止まった)、二段目の電流も増やして(関係なかった)、アイドリングも増やして(効果が薄い)、二段目のドレイン電圧のバランスを取るためにツェナーを入れるところまで試したところ、サーミスタが吹っ飛んでしまった。これは線材が入り込んだ事によるショート事故と推測している。補修からやり直しである。