出力特性

各素子の出力特性の計測(9)

完成したアンプ。 終段SiC MOS の状態だがこれでもう別次元の音がする。 なので予定していたPower JーFETの搭載は見送って、この石はパワーアンプIVに使うことにした。 購入しておいたUJ3C065080K3S パワーアンプIVを準備中

各素子の出力特性の計測(6)

日立2SK1056 これは日立2SK135のモールドタイプでアキュフェーズのP−266というパワーアンプに採用されていた。LoーDの普及アンプには多分使われていたのではないだろうか。

各素子の出力特性の計測(5)

GaN MOS FETも調べてみる。 これは小出力MOSとGaN HEMTのカスコードという構成で高価なものである。 いきなり電源を入れると壊れてしまうことがあり、アナログアンプを作るのは大変難しい。D級アンプならそういうことは無い。

各素子の出力特性の計測(4)

金田式でよく使われたUHC MOSである。この呼称はDENONも行っており市販アンプが存在する。耐圧が低いという欠点がある。 伝達特性と出力特性

各素子の出力特性の計測(3)

東芝のIGBTを調べる。IGBTが市販のアンプに採用されたことは無いと思う。ケンウッドの高級アンプで採用を検討されたと言う記事を読んだ事がある。結局バイポーラが採用された。 この領域ではややゆるい飽和特性と急峻な伝達特性が特徴である。こういう素子は…

各素子の出力特性の計測(2)

今回のアンプは2022年版NEW HCAアンプ パート2の基板を再利用したものである。 これが元の基板 部品を取り外すのに24分かかった。ゼロから作るよりは楽で速いと思う。 完成した基板 回路図と基板図 アンプは完成した。終段にはSiC MOSを載せている。 こ…

各素子の出力特性の計測(1)

このような基板を作成した。 電圧計はamazonで購入したもので、電源とセンサーの配線を分離した。測定範囲は30Vまでとあるが、40Vでも壊れなかった。 まずSiC MOSを計測した。わりと飽和特性っぽい。