MOS FET パワー・アンプ

2022年版NEW HCAアンプ (4)

シミュレーターで動作を見る。出力に大きな正弦波が現れている。 ノンスイッチング動作を見る。マイナス側があまりよろしくない。 位相補正を調べてみた。5Pくらいで丁度よいだろう。

2022年版NEW HCAアンプ (3)

2段目を耐圧120VのA970に変えて±40Vの電源に繋いでみると電源がまたたいている(保護回路作動中)。アイドリングを調整しながら再度試してみるとA970が破裂した。 A970を新しいものに載せ替えて±15Vに繋いでみるとこれも破裂した。 半導体を全部チェックする…

超広帯域電圧増幅段SiC MOS-FETアンプ パート3 (2)

初段にMOS-FETの2N7000を用いている。 特性図 完成写真 この音には魅了される。一言で言うと鮮度と上品さを兼ね備えた音がする。挙動も問題ないようだ。

超広帯域電圧増幅段SiC MOS-FETアンプ パート3 (1)

この前につくったノーマルなSiC MOSアンプをまたまた改造して超広帯域電圧増幅段のアンプにする。 このような回路だった。 今回試みるのはまず低電圧でC3355を使ってみるというコンセプトである。新たにA8というシャーシを 用意した。 このような特性になっ…

A5 SiC MOS-FETアンプ (5)

A5 SiC MOS-FETアンプ (±15V)とA6 SiC MOS-FETアンプ(±40V)の音をじっくりと 比べてみた。ソース機器はパイオニア Nー50A、スピーカーはFE103SOLバスレフである。 A5 音質傾向はA6と同じだがおとなしく感じる。これだけ聴くと宝石箱のような音が楽しめる…

A5 SiC MOS-FETアンプ (4)

音を確認してみるととても良いものだった。しかし二段目バイポーラのせいでアイドリングが増加してゆく事が確認された。制御ループの外にあるので致し方ない。 C2240からJ103BLに戻しバイアス関係も修正した。アイドリングは実に安定している。 完成写真 特性…

A5 SiC MOS-FETアンプ (3)

このような回路図になった。これを±15Vで運用する。 パターンを変えずに済むようTRの足の順番を変えた。 両チャンネル調整し終わったところ。これで音が聴ける。

A5 SiC MOS-FETアンプ (2)

回路図と基板図を示す。これまでの知見を元に±15Vでどれくらい出るかが知りたい。 2段目の動作の確認。LEDが点灯している。 ドライバー段を入れてエミッタ電位をみる。よく合っている。 この回路で出力を見ると1W以下になった。色々試したいので±40Vでも動作…

A5 SiC MOS-FETアンプ (1)

A5とA6はIGBT、SiC MOS FET、GaN MOS FETに特化したアンプシリーズで、両者は基板に互換性がない。 今回はこのような基板を再生して超広帯域電圧増幅段SiC MOS-FETアンプの2台目を作る。 初日はここまで作業した。新調するのと手間のかかり具合は同じかもし…

超広帯域電圧増幅段SiC MOS-FETアンプ (8)

完成写真 試聴しながらアイドリングの安定度を見ている。 特に問題ないようだ。放熱器が小さいのでファンで温度を下げている。 やはりあらゆる点で最高点を叩き出すような鳴り方である。ダイナミックで透明、それでいてサラサラと流れるように鳴る。ワイドレ…

超広帯域電圧増幅段SiC MOS-FETアンプ (7)

ドライバー段のC2240をC4073に変更した。40Wあたりでクリップするのがわかっているので低出力域で 測定した。 サーミスタの影響を受けないようにすれば歪みは直線的に下がってゆくのがわかる。 回路図と基板図 測定用の音声ファイルを編集して逆にしたものを…

超広帯域電圧増幅段SiC MOS-FETアンプ (6)

ファンで冷却しながら150mA流してみた。 C2240ドライバー 50Wでもハードクリップしていない。小出力時に歪みが増加するのはアイドリング激増時にサーミスタが暖められて、 アイドリングが減少してしまうからだ。サイン波信号は大きい順に5秒づつ再生される…

超広帯域電圧増幅段SiC MOS-FETアンプ (5)

ほぼ金田式をコピーした回路。二段目がソース接地になっている。差動よりもダイナミックレンジが大きく取れる。少なくとも二段目でのクリップは避けられる。 測定結果 まだクリップしているようだ。初段をK117GRからBL(IDSS=8.2mA)に変更する。 随分なだ…

超広帯域電圧増幅段SiC MOS-FETアンプ (4)

C2240をドライバーにしたアンプ 測定結果 出力は取れているようだが歪みが多い。金田式ではアイドリングに少なくとも150mAは流しているのでやってみる。 上手くいったようだが、早めにクリップするのが問題である。二段目の差動アンプがあやしいので対策を考…

超広帯域電圧増幅段SiC MOS-FETアンプ (3)

サーミスタの補修に取り掛かる。 瞬間接着剤とはいえ一晩寝かせてから半田付けした。 電圧増幅段のテスト ドライバー段はC2240に変更している。三歩進んで二歩下がるである。最初から一歩進めば?と思うかもしれないが、こちらの方が研究手法としてはいいの…

超広帯域電圧増幅段SiC MOS-FETアンプ (2)

片chを組み終わって調整可能なところまで来た。 出力も充分取れているようだが測定してみると高調波歪みが多すぎることがわかった。大抵は出力の低いところでは0.1%まで下がるのだが全然下がらない。負荷を5kΩにすると歪みは消滅するという現象がある。 位相…

超広帯域電圧増幅段SiC MOS-FETアンプ (1)

ドライバー段にft 6GHzの2SC4703を用いる。Dualgate MOSよりもさらに広帯域となる。±40の電源に対応する。 去年作ったA6のアンプ基板をリユースするので経済的である。 改造前の基板 今回作ろうとしている回路

広帯域電圧増幅段SiC MOS-FETアンプ (3)

完成写真 試聴 ドライバー段付きでしかもダイナミックレンジが広く混変調歪みの少ないDualgate MOSである。高域もいいが低域がしっかりしている。かなりのものである。

SiC MOS-FETプリメインアンプ (7)

二段目の電流が要調整だったが上手くいったので試聴する。 気になっていたハイ落ちは解消し、全般的に聴きやすい音である。バランスがいい。低域の力感もあるし高域のキラキラ感も少し残っている。バイポーラを入れることで音づくりができるようだ。

SiC MOS-FETプリメインアンプ (6)

再びドライバー段の電圧制限(6.1V)を行うと前と同じように出力の低下が見られた。この問題の解決法は電源電圧を高くするしかないような気がする。その実験はまた後で行うことにして、ドライバー段付きSiC MOS アンプの完成を急ぐことにする。 決定した回路…

SiC MOS-FETプリメインアンプ (5)

8Ω負荷出力が1Wも出ていないので改良を試みた。まずC1775AEを肩特性が良いC2240に替えてみた。大して変わらなかった。次にJ103をIDSS=8mAのものに替える。すると調整不能の症状が出た。これはIDSS=3.4mAのものに戻した。 やはりツェナーでドライバー段の電…

SiC MOS-FETプリメインアンプ (4)

万事窮すだったが330pの位相補正を入れてみたら3.5Vのバイアス電圧が復活した。今は2.7Vになっている。 DCメカの状態で終段を入れたところ。8mA流れている。 NFBをかけてDCアンプにしたところ。アイドリング39mA、オフセット7.8mVになっている。 測定した。 …

K405 J115 MOS-FETプリメインアンプ (7)

このように完成した。 試聴を続けている。朝と夜では印象が違うがなかなかいい。明確な低音。ふわっと切れ込む高音と、これまでに無い音が感じられる。

K405 J115 MOS-FETプリメインアンプ (6)

配線を見直すとマイナス側のスイッチングダイオードがショートしていたので修正した。電圧増幅段が完成したので、いよいよ終段を付けてNFBをかける。アイドリング38mA、オフセット1.2mV。 このまま計測した。 この定数で部品を全部載せたところ。ここからは…

K405 J115 MOS-FETプリメインアンプ (5)

今日は6GHz、150mAのC4903を二つ載せた基板をテストする。昨夜はBとEを逆にしていたのでまず基板から外す。データシートの図はボトムヴューだった。 バイアスとなる電圧を確認する。1.2Vと1.3V、まあまあである。 マイナス側の石を載せたところ。 コレクタ電…

K405 J115 MOS-FETプリメインアンプ (4)

さて今日やることは二本のC3355を引っこ抜いて調べることである。するとプラス側の石がダイオード化していて、マイナス側の石は無事だった。 抜いた後はDCメカの状態で二段目の電流を確認する。すると何故かアンバランスになっている。これは結局原因がつか…

K405 J115 MOS-FETプリメインアンプ (3)

C3355がTOー92 パッケージで便利だなと思っていると落とし穴があるのでは無いだろうか。 これはプリアンプとして片方のchだけ完成させたもの。動作成功まで来たものの特性を取ると最大出力が3.8Vrmsという結果となった。プリアンプとしては何とか使えるもの…

K405 J115 MOS-FETプリメインアンプ (2)

前回のアンプとはバイアス関係が違うだけである。ドライバー段には2SC3355を採用する。やはり耐圧が低いので回路でのトリックが重要となる。 入手できたのはNECのオリジナルではなくUTC社製のものである。 回路図と基板図

K405 J115 MOS-FETプリメインアンプ (1)

新しい原理に従ってK405 J115 のアンプを新調する。K405 J115 の本当の音が聴けるかもしれない。 A4シリーズのメカを例によって流用するので基板だけの製作になる。 部品は大体集めてある。 初日は回路図、基板図を描いて電源周りと入出力だけ作った。

超広帯域電圧増幅段MOS FET パワーアンプ (12)

連休なので3台の比較試聴を行った。ソース機器はパイオニア Nー50A、スピーカはFE103SOLバスレフである。 出来たばかりの超広帯域電圧増幅段K1056 J160 DCアンプを鳴らす。なんとも素晴らしい。低域はガツンと明確に出て、高域は最高レベル。パートのコント…