超広帯域電圧増幅段SiC MOS-FETアンプ （5）

ほぼ金田式をコピーした回路。二段目がソース接地になっている。差動よりもダイナミックレンジが大きく取れる。少なくとも二段目でのクリップは避けられる。

測定結果

まだクリップしているようだ。初段をK117GRからBL（IDSS＝8.2mA）に変更する。

　随分なだらかになっている。歪みが多いのは終段石の素性と思われるのでアイドリングを鬼のように流せば改善するだろう。