各素子の出力特性の計測（2）

Sic MOS GaN FETアンプ IGBTパワーアンプ Power JーFET 出力特性

今回のアンプは２０２２年版NEW HCAアンプ　パート２の基板を再利用したものである。

　これが元の基板

　部品を取り外すのに24分かかった。ゼロから作るよりは楽で速いと思う。 　

　完成した基板

　回路図と基板図

　アンプは完成した。終段にはSiC MOSを載せている。 　

このアンプを利用して各素子の出力特性の計測をもう少し行う。