ドライヤーを使用している限り2ヶ月以上無事故なのでGaN FET パワーアンプ8sをメインシステムに組み込んだ。いつドライヤーを止めるかが課題だが儀式の様にやる事にしている。音は素晴らしい。高域は香り高く奥深く、低域はぐーんと伸びて明確で美しい。SITよりもいいしSic MOSよりもいい事が明らかになった。
旧型MOSは周波数特性が良く歪みも少ないのだが内部抵抗が大きいという欠点がある。シングルPPだと低域に不満が出る。Sic MOSは周波数特性はいいが歪みが多い。GaN FETは周波数特性がさらに良く、歪みが無く、内部抵抗もさらに低いといい事ずくめだ。
