超広帯域電圧増幅段MOS FET パワーアンプ （10）

位相補正してNFBをかけたところ。オフセット3.1mA、アイドリング 4.1mAである。安定している。

電圧増幅段の特性を調べる。

いつもより歪みが多い気がする。

パワーアンプにして調整する。調整できた。

測定結果

パスコンを追加してこの結果だった。回路を見直してみると終段バイアスの抵抗値が低いので15kΩに変更した。

測定結果

ほぼ予想通りの結果が得られた。このくらいだったら両ch作って音が聴けると思う。