SIT パワーアンプ II （2）

回路図と基板図を示す。

　最初のテスト。初段に1.5mAづつ流れている。

　出力段のバイアスの生成を見る。2.4Vくらいになっている。

　バイアスシフト回路が正常に動作しているか見る。MOS FET 5個で14. 3Vなので大丈夫である。外についている基板は電源電圧をコントロールするもので、後で素子の出力特性の測定に利用する。