終段石をつないでアイドリングの挙動を見る。−10Vくらいからドレイン電流が流れることがわかった。 温度補償が気になるが、物凄いスピードでドレイン電流が増加することがわかった。定数をいじっても対処不能 だったのでしばらく考えていると補償回路が正帰還になっていることに気がついた。
バイアスもそれ程深いものでもないのでMOS FET ダイオードを終段素子のソース側に複数入れる方式に戻って製作する。 回路図と基板図を書き直した。これなら負帰還になるはずである。
バイアス関係はこの式のようになる。
2.9Vのダイオードが4個入るので、バイアスが＋2.4Vのとき実際の素子側はー9.2Vになっている。このようにFETのデプレッション型 特性をエンハンスメント型特性にすることができる。
