GaN FET D級アンプ （2）

終段スイッチング素子の違いによる特性の違いを見る。

まずキット付属のIRFIZ24Ｎ

これを測定する時、心臓部のIRS2092を壊してしまった。歪率8％くらいの出力で壊れた。ICを交換して歪率2％くらいで測定した。

次にSiC MOS CREE CMF10120に替えたもの

出力を上げると発振するようなので2W出力までを測定した。随分特性が違う。音でははっきり違いがわかる。

GaNは測定しない。石が高価なのとIRS2092の予備が尽きたからである。