LoーD式ノンスイッチングアンプの製作（4）

MOS FET パワー・アンプ ノンスイッチング

パワーアンプ I の第一基板を改造する。

DCオフセット41mV、アイドリング190mAに調整できた。

HMAー9500 II にまた一歩近づいた。