HEMT プリアンプ （1）

High Electron Mobility Transistor 高電子移動度トランジスタ （HEMT）は富士通発の新素子である。マイクロ波の機器に適している。低周波アンプを作るのは少々無謀な気もするが音を聴いてみたい。

この特性図から伝達特性をプロットした。

これはGaAs MES FETと同じである。つまり同じようなバイアスで電源を1.5V低く設定すれば良いのではないだろうか。

回路図と基板図を示す。