GaN FET パワーアンプ7 （2）

GaN FETのトランスコンダクタンスの立ち上がりがいいという言及があるがそれを裏付けるのがこれである。

出力を上げていくと3次歪みが激減する。アイドリングが激増してトランスコンダクタンスが大きい領域に入ってきた事を表している。最初からアイドリングを100〜200mA流すと低歪みになると予想される。

Sic MOSもその傾向はある。

今回Sic MOSで100mA流してみた。

だんだん弩級アンプらしくなってきた。