《A4》 2016年2月に製作したMOS FETアンプである。上條氏が考案したクロスシャント電圧増幅段で、ノンスイッチング動作をする。
元の回路
±40Vに対応するため22kの抵抗を10kに変更し、アイドリングを調整した。終段はK1520、J200に変更している。
これも深くかっちりした音が実現しており準リファレンス機として通用するものである。
《A4》 2016年2月に製作したMOS FETアンプである。上條氏が考案したクロスシャント電圧増幅段で、ノンスイッチング動作をする。
元の回路
±40Vに対応するため22kの抵抗を10kに変更し、アイドリングを調整した。終段はK1520、J200に変更している。
これも深くかっちりした音が実現しており準リファレンス機として通用するものである。