超広帯域電圧増幅段MOS FET パワーアンプ （11）

基板を完成させて組み上げた。

回路は十分練られたものなので安定度も良い。220Ω抵抗を追加して終段アイドリングを増やしている。

前回測定の特性は出力が取れていなかったが、ミスによりゲイン1になっていたらしい。こちらが本当である。

音を聴いてみると目の覚めるような切れ込み、深い音像がもたらされているのがわかる。まるでHMA9500II のようだ。